Samsung 870 QVO MZ-77Q8T0BW - SSD - chiffré - 8 To - interne - 2.5" - SATA 6Gb/s - mémoire tampon : 8 Go - AES 256 bits - TCG Opal Encryption

Samsung 870 QVO MZ-77Q8T0BW - SSD - chiffré - 8 To - interne - 2.5" - SATA 6Gb/s - mémoire tampon : 8 Go - AES 256 bits - TCG Opal Encryption MZ-77Q8T0BW
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Information
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SamsungConstructeurSamsungRéf. Produit
MZ-77Q8T0BW
 
Général
Type de périphériqueLecteur à semi-conducteurs - interne
Capacité8 To
Cryptage matérielOui
Algorithme de chiffrementAES 256 bits
Type de mémoire flash NANDCellule à quatre niveaux (QLC)
Format2.5"
InterfaceSATA 6Gb/s
Taille de la mémoire tampon8 Go
CaractéristiquesPrise en charge TRIM, technologie Garbage Collection, mode veille, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung MKX Controller, S.M.A.R.T., AES 256 bits, IEEE 1667
Largeur69.85 mm
Profondeur100 mm
Hauteur6.8 mm
Poids57 g
Performances
Endurance SSD2.88 PB
Débit de transfert interne560 Mo/s (lecture) / 530 Mo/s (écriture)
Lecture aléatoire 4 Ko11000 IOPS
Écriture aléatoire 4 Ko35000 IOPS
Écriture aléatoire 4 Ko maximum88000 IOPS
Lecture aléatoire maximale 4 ko98000 IOPS
Fiabilité
Fiabilité MTBF1,500,000 heures
Expansion et connectivité
Interfaces1 x SATA 6 Gb/s - ATA série de 7 broches
Baie compatible2.5"
Alimentation
Consommation électrique3.3 Watt (moyenne)
5.5 Watt (maximum)
0.045 Watt (inactif)
Garantie du fabricant
Service et maintenanceGarantie limitée - 3 ans
Caractéristiques d’environnement
Température minimale de fonctionnement0 °C
Température maximale de fonctionnement70 °C
Résistance aux chocs (en fonctionnement)0.5 ms half-sine
Résistance aux chocs (au repos)1500 g @ 0,5 ms

 

 
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