Transcend - DDR3 - module - 1 Go - SO DIMM 204 broches - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - mémoire sans tampon - non ECC - pour ASUS G74; Dell Precision M4500, M6500; HP Pavilion dm3; Sony VAIO Z Series VPCZ215

Transcend - DDR3 - module - 1 Go - SO DIMM 204 broches - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - mémoire sans tampon - non ECC - pour ASUS G74; Dell Precision M4500, M6500; HP Pavilion dm3; Sony VAIO Z Series VPCZ215 TS128MSK64V3U
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TranscendConstructeurTranscendRéf. Produit
TS128MSK64V3U
 
En-tête / FabricantTranscend
RAM / Vérification de l'Intégrité des DonnéesNON ECC
RAM / Facteur de FormeSO DIMM 204 broches
RAM / Conformité avec les spécifications mémoirePC3-10600
RAM / Vitesse de Mémoire1333 MHz
Les modules DIMM DDR3-1333 de Transcend sont composés de puces DRAM DDR3 128M x 8 de haute qualité et utilisent des circuits imprimés robustes conformes aux normes JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council). Chaque puce est sélectionnée selon les normes de qualité et de performance les plus strictes et est fabriquée à l'aide de petits boîtiers FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array) avec des contacts supplémentaires pour assurer une meilleure dissipation thermique, une meilleure efficacité électrique et une qualité informatique fiable à des fréquences d'horloge élevées. En outre, les modules de mémoire DDR3 intègrent une architecture "Fly-by" qui assure une communication directe plus efficace entre le contrôleur et chaque puce DRAM. Cette architecture comprend également une terminaison dynamique On-DIMM pour minimiser les réflexions de signaux à des vitesses plus élevées.

La DDR3 est le successeur de la mémoire DDR2 et deviendra bientôt la norme industrielle pour les modules de mémoire PC. Par rapport à la DDR2, elle offre des vitesses de transfert plus rapides et une meilleure bande passante grâce à un tampon de préemption de 8 bits au lieu de 4 bits, et elle est parfaitement adaptée aux systèmes modernes utilisant des processeurs à deux ou quatre cœurs. De plus, la tension de fonctionnement des modules de mémoire DDR3 a été abaissée de 1,8V à 1,5V, réduisant ainsi la consommation d'énergie de la mémoire de 20 à 30 % par rapport aux systèmes équipés de mémoire DDR2.

 

 
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